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材料 | 硅 |
---|---|
封装材料 | 金属封装 |
封装形式 | 贴片型 |
耗散功率 | 2 |
极性 | NPN型 |
结构 | 合金型 |
频率特性 | 高频 |
应用范围 | 1 |
营销方式 | ** |
产品性质 | 新品 |
功率特性 | 大功率 |
特征频率 | 6000 |
集电极允许电流 | 1 |
CMPA0060002F
高功率晶体管
GaN MMIC Power Amplifier
High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC).
2 WATTS
20-MHz – 6000-MHz
CREE
CMPA0060002F
CGH60008D, CGH600015D , CGH60060D , CGH60120D
CMPA0060002D , CMPA0060025D , CMPA2560025D , CMPA0060002F , CMPA0060025F , CMPA2560025F , CGH40006P , CGH40010F/P , CGH40025F/P , CGH40035F/P , CGH40045F/P ,
CGH40090PP , CGH40120F , CGH40120P CGH40180PP ,CGHV96050F1 , CMPA5585025D , CMPA5585025F , CMPA2735075D , CMPA801B025D , CGH21240F , CGH31240F ,CGH35240F , CGH55015F2/P2 , CGH55030F2/P2 , CGHV14250F , CGHV14500F , CGHV35150F , CGHV35400F
CGHV96050F2 , CGHV96100F2 , CMPA2735075F , CMPA801B025F , CGHV1006D , CGHV1J025D , CGHV1J070D , CGH09120F , CGH21120F ,CGH25210F ,CGH27015F , CGH27030F , CGH35015F, CGH35060F, CGH55015F2/P1
CGHV22100F/P CGHV22200F/P , CGHV27100F/P , CGH27200F/P , CGHV27030S
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Maxdragon (Hong Kong) Limited
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