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材料 | 硅 |
---|---|
封装材料 | GANS |
封装形式 | 贴片型 |
耗散功率 | 90 |
极性 | NPN型,PNP型 |
结构 | 面接触型 |
应用范围 | 砷化镓晶体管 |
营销方式 | 代理 |
产品性质 | 新品 |
功率特性 | 大功率 |
特征频率 | DC-4000 |
集电极允许电流 | 28V |
CGH40090PP
RF JFET Transistors DC-4GHz 28V 90W Gain 12.5dB GaN HEMT
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity
CREE GaN(氮化镓)HEMTs(高功率晶体管)提供更大的功率密度和更宽的带宽比硅和砷化镓晶体管。氮化镓的性能优于硅或砷化镓,包括提高击穿电压,更高的电子饱和漂移速度,更高的导热系数
CGHV96100F2 | 7.9 GHz to 9.6 GHz | 12.4 dB | 131 W | 100 V | 12 A | - | - | |
CGH40006S | 2 GHz to 6 GHz | 13 dB | 6.9 W | 120 V | 0.75 A | 2.7 pF | - | |
CGH40010F | 2 GHz to 6 GHz | 14.5 dB | 12.5 W | 120 V | 1.5 A | 4.5 pF | - | |
CGH55030F2 | 4.5 GHz to 6 GHz | 12 dB | 25 W | 120 V | 3 A | 9 pF | - | |
CGH40025F | 2 GHz to 6 GHz | 15 dB | 30 W | 120 V | 3 A | 9 pF | - | |
CGH40045F | 2 GHz to 4 GHz | 14 dB | 55 W | 120 V | 6 A | 19 pF | - | |
CGH40180PP | 1 GHz to 2.5 GHz | 19 dB | 220 W | 120 V | 24 A | 35.7 pF | - | |
CGH40006P | 2 GHz to 6 GHz | 13 dB | 9 W | 120 V | 0.75 A | 3 pF | - | |
CGH55015F2 | 4.5 GHz to 6 GHz | 12 dB | 10 W | 120 V | 1.5 A | 4.5 pF | - | |
CGH40035F | 2 GHz to 4 GHz | 15 dB | 45 W | 120 V | 4.5 A | 14.7 pF | - | |
CGH60008D | 4 GHz to 6 GHz | 15 dB | 8 W | 120 V | 0.75 A | 2.5 pF | 1.6 Ohms | |
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