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材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
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用途 | S/开关 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) |
最大耗散功率 | 60V |
沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 |
封装外形 | CHIP/小型片状 |
品牌 | Philips/飞利浦 |
型号 | 2N7002 |
晶体管极性:N沟道 ??漏极电流, Id **大值:280mA ??电压, Vds **大:60V ??开态电阻, Rds(on):5ohm ??电压 @ Rds测量:10V ??电压, Vgs **高:2.1V ??功耗:0.2W ??工作温度范围:-55to 150 ??封装类型:SOT-23 ??针脚数:3 ??SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) ??SMD标号:702 ??功率, Pd:0.2W ??外宽:3.05mm ??外部深度:2.5mm ??外部长度/高度:1.12mm ??封装类型:SOT-23 ??带子宽度:8mm ??晶体管数:1 ??晶体管类型:MOSFET ??温度 @ 电流测量:25°C ??满功率温度:25°C ??电压 Vgs @ Rds on 测量:10V ??电压, Vds 典型值:60V ??电流, Id 连续:0.115A ??电流, Idm 脉冲:0.8A ??表面安装器件:表面安装 ??通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm ??通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm ??阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V ??阈值电压, Vgs th **高:2.5V
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