苏州硅能半导体科技1(图),场效应管工作,场效应管

   MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

   MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。

　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的**1大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

　　6、PDSM—**1大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的**1大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

　　7、IDSM—**1大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的**1大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

场效应管：

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。